Wafer điện cực cảm biến
Chế tạo bằng công nghệ vi điện tử
Phiến điện cực đa cảm biến được chế tạo bằng quy trình vi điện tử với hai bước quang khắc, mỗi phiến chứa hơn 200 chip đa cảm biến.
Chip trên mỗi waferhơn 200
Kích thước nhỏ nhấtkhoảng 5 µm
Tổng quan
Phiến điện cực đa cảm biến được chế tạo bằng quy trình vi điện tử với hai bước quang khắc cho điện cực và vật liệu nhạy khí. Chip sử dụng màng Pt khoảng 100 nm, làm việc ở nhiệt độ cao với công suất thấp và có thể tích hợp nhiều loại vật liệu nano nhạy khí.
Kích thước nhỏ nhất: khoảng 5 micromet; công suất thiết kế khoảng 100 mW.
Cấu trúc và chế tạo
Đế chip
silicon có ăn mòn mặt sau hoặc thủy tinh thạch anh.
Điện cực
màng mỏng Pt dày xấp xỉ 100 nm.
Quang khắc
02 bước tạo hình điện cực và vùng tích hợp vật liệu nhạy khí.
Nhiệt độ
dải làm việc công bố 0-600 độ C; phân bố nhiệt tối ưu tới khoảng 400 độ C cho cảm biến oxit.
Quy mô wafer
mỗi phiến chứa hơn 200 chip đa cảm biến.
Tích hợp vật liệu và ứng dụng
Bột nano
tích hợp bằng công nghệ màng dày.
Dây nano
phát triển trực tiếp trên chip bằng on-chip growth.
Màng mỏng
tích hợp bằng quang khắc, phún xạ và xử lý nhiệt.
Công suất
khoảng 100 mW; mẫu đế thạch anh thử nghiệm làm việc khoảng 165 mW.
Ứng dụng
đề tài nghiên cứu khoa học và đào tạo đại học, sau đại học.
Thành tựu
Sáng chế
thiết kế và chế tạo đã được cấp bằng sáng chế quốc tế SE2050334A1.
