Kênh dẫn sóng plasmon khe hẹp lai tùy biến hiệu quả chiều dài truyền
- Thứ bảy - 31/01/2026 22:55
- In ra
- Đóng cửa sổ này
Tác giả chính: Chu Mạnh Hoàng
PTN Công nghệ vi hệ thống và nano quang tử
Ngày cấp: 21/10/2025
Tóm tắt: Sáng chế đề cập đến kênh dẫn sóng plasmon khe hẹp lai tùy biến hiệu quả chiều dài truyền. Cấu trúc kênh dẫn sóng plasmon khe hẹp lai bao gồm một kênh dẫn sóng điện môi có chiết suất cao kết cặp với một kênh dẫn sóng kim loại thông qua một lớp điện môi có chiết suất thấp. Chiều dài truyền của kênh dẫn sóng plasmon khe hẹp lai được tùy biến dựa trên điều khiển chiết suất kênh dẫn sóng điện môi có chiết suất cao khi sử dụng một điện cực điều khiển trường rìa. Để điều khiển chiết suất kênh dẫn sóng điện môi có chiết suất cao hiệu quả, cấu trúc kênh dẫn sóng điện môi có chiết suất cao trong sáng chế hiện tại có dạng diện tích bề mặt lớn ở phía điện cực điều khiển chiết suất và có cấu trúc nhỏ hơn ở phía giao diện với nêm kim loại. Diện tích mode truyền có kích thước nhỏ hơn nhiều lần bước sóng ánh sáng truyền và hầu như không thay đổi khi điều khiển chiều dài truyền. Kênh dẫn sóng điện môi có chiết suất cao có một trong các hình dạng mặt cắt ngang như: hình tam giác, hình thang, hình thang có phần nhô ra dạng hình tam giác hoặc hình bán nguyệt. Kênh dẫn sóng kim loại có dạng nêm kim loại đồng nhất hoặc dải kim loại dạng chữ V được phủ toàn bộ hoặc một phần trên một kênh điện môi định hình có dạng tam giác; góc đỉnh kênh dẫn sóng kim loại được thu nhỏ để đạt được diện tích mode truyền nhỏ và suy hao truyền thấp. Kênh dẫn sóng plasmon tùy biến hiệu quả chiều dài truyền được nêu có thể được sản xuất hàng loạt dựa trên công nghệ vi cơ điện tử.
PTN Công nghệ vi hệ thống và nano quang tử
Ngày cấp: 21/10/2025
Tóm tắt: Sáng chế đề cập đến kênh dẫn sóng plasmon khe hẹp lai tùy biến hiệu quả chiều dài truyền. Cấu trúc kênh dẫn sóng plasmon khe hẹp lai bao gồm một kênh dẫn sóng điện môi có chiết suất cao kết cặp với một kênh dẫn sóng kim loại thông qua một lớp điện môi có chiết suất thấp. Chiều dài truyền của kênh dẫn sóng plasmon khe hẹp lai được tùy biến dựa trên điều khiển chiết suất kênh dẫn sóng điện môi có chiết suất cao khi sử dụng một điện cực điều khiển trường rìa. Để điều khiển chiết suất kênh dẫn sóng điện môi có chiết suất cao hiệu quả, cấu trúc kênh dẫn sóng điện môi có chiết suất cao trong sáng chế hiện tại có dạng diện tích bề mặt lớn ở phía điện cực điều khiển chiết suất và có cấu trúc nhỏ hơn ở phía giao diện với nêm kim loại. Diện tích mode truyền có kích thước nhỏ hơn nhiều lần bước sóng ánh sáng truyền và hầu như không thay đổi khi điều khiển chiều dài truyền. Kênh dẫn sóng điện môi có chiết suất cao có một trong các hình dạng mặt cắt ngang như: hình tam giác, hình thang, hình thang có phần nhô ra dạng hình tam giác hoặc hình bán nguyệt. Kênh dẫn sóng kim loại có dạng nêm kim loại đồng nhất hoặc dải kim loại dạng chữ V được phủ toàn bộ hoặc một phần trên một kênh điện môi định hình có dạng tam giác; góc đỉnh kênh dẫn sóng kim loại được thu nhỏ để đạt được diện tích mode truyền nhỏ và suy hao truyền thấp. Kênh dẫn sóng plasmon tùy biến hiệu quả chiều dài truyền được nêu có thể được sản xuất hàng loạt dựa trên công nghệ vi cơ điện tử.