Phương pháp chế tạo kênh dẫn sóng plasmonic lai

Thứ bảy - 31/01/2026 22:53

Tác giả chính: Chu Mạnh Hoàng
PTN Công nghệ vi hệ thống và nano quang tử
Ngày cấp: 30/12/2019
Tóm tắt: Phát minh này cung cấp một phương pháp cho chế tạo các kênh dẫn sóng plasmonic lai. Cấu tạo của kênh dẫn sóng plasmonic là từ kênh dẫn sóng silic tròn được định vị trong kênh chữ V. Kênh chữ V trước khi tập hợp kênh dẫn sóng silic đã được phủ một lớp kim loại và một lớp điện môi chỉ số thấp để tạo thành kênh dẫn sóng plasmonic lai. Phát minh trình bày quy trình chế tạo các kênh dẫn sóng silic từ phương pháp xử lý nhiệt hidro và kênh chữ V được tạo ra bằng phương pháp ăn mòn ướt phiến silic định hướng (100). Kênh dẫn sóng silic được định vị một cách chính xác trong kênh chữ V bằng cách thiết kế dấu định vị và rãnh định vị dạng chữ V. Phát minh này cũng cung cấp phương pháp định vị chính xác kênh dẫn sóng silic trong kênh chữ V và phương pháp để tách kênh dẫn sóng silic từ đế. Phương pháp chế tạo các chip kênh dẫn sóng đơn cũng được cung cấp. Kênh dẫn sóng plasmonic lai được chế tạo có thể được ứng dụng trong chế tạo các linh kiện cho mạch quang tích hơp như kênh truyền dẫn sóng quang ở tỷ lệ nano, laze nano, bộ điều biến quang và ứng dụng trong chế tạo các cảm biến quang. Phương pháp này có thể sản xuất hàng loạt từ quy mô phòng thí nghiệm đến công nghiệp. Phát minh này được hiểu một cách dễ dàng hơn thông việc mô tả chi tiết phát minh và các hình vẽ kèm theo.

Những tin mới hơn

Những tin cũ hơn